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型号 DMG6898LSD-13
厂商 Diodes Inc
描述 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8
DMG6898LSD-13 PDF
代理商 DMG6898LSD-13
标准包装 1
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1149pF @ 10V
功率 - 最大 1.28W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装 8-SO
包装 剪切带 (CT)
其它名称 DMG6898LSD-13DICT
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